国家科技重大专项单体最大项目通过验收

我省承担国家科技重大专项单体最大项目通过验收

12英寸PECVD设备实现国产化

“项目攻克了设备架构平台设计难题，突破了薄膜工艺和有关的射频等关键技术，开发了具有自主知识产权的300mmPECVD设备，各项技术指标达到任务合同书的考核要求……”4月15日，由沈阳拓荆科技有限公司承担的国家科技重大专项“90nm-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”项目迎来终考，并通过国家验收。

该项目总投资达3.55亿元，是我省承担国家科技重大专项的单体最大项目。项目顺利通过验收，标志着我国IC装备四大核心装备之一———12英寸PECVD设备已经实现了国产化，一举填补了国内空白，打破了国际垄断，提升了我国集成电路产业整体竞争力。

据介绍，PECVD设备的核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅晶片表面镀一层固态薄膜。该技术此前完全被美日等发达国家垄断，设备进口严重限制。经过几年的努力，目前沈阳拓荆公司已经攻克了设备平台设计、薄膜工艺开发、仿真理论精准计算、设备的可靠性、工艺的可重复性控制、薄膜均匀性控制等关键技术，产品通过国内12英寸集成电路生产线考核验收，各项指标达到国际水平，成本为国际设备的70%。

据介绍，目前沈阳拓荆公司的半导体薄膜产业化基地正在建设，预计今年10月投入使用，建成后将成为国内最大的半导体薄膜产业化基地。